Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 37

Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.6 13.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.7 8.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 35
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 15.6
Скорость записи, Гб/сек

8.6 12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2395 2969

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Kingston KKRVFX-MIE 8GB

Kingston KKRVFX-MIE 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB

Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston 9965589-031.D01G 2GB

Kingston 9965589-031.D01G 2GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB

модули RAM

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB

модули RAM