RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
19.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3430
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link