RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
19.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3430
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link