RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
56
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.3
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
2340
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link