RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
67
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.6
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
13.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
67
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.6
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
1850
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link