RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.8
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
13.7
Скорость записи, Гб/сек
8.6
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2407
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
UMAX Technology 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link