RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
37
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.5
Скорость записи, Гб/сек
8.6
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2374
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link