RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
37
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.6
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2714
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link