RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

総合得点
star star star star star
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
バグを報告する
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 37
    周辺 -16% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.5 left arrow 8.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.6 left arrow 10.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2395 left arrow 2714

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAMの比較

SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
メモリRAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
メモリRAM