Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Kingston 9905665-021.A00G 4GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Средняя оценка

Kingston 9905665-021.A00G 4GB

Kingston 9905665-021.A00G 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Сообщить об ошибке

Kingston 9905665-021.A00G 4GB

Причины выбрать
Kingston 9905665-021.A00G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 37

Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18 13.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.9 8.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Kingston 9905665-021.A00G 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 21
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 18.0
Скорость записи, Гб/сек

8.6 12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2395 2772

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N

модули RAM

Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB

Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB

Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB

Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB

Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB

модули RAM

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Kingston 9965596-036.B00G 8GB

Kingston 9965596-036.B00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB

модули RAM

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N

модули RAM

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Kingston KMKYF9-HYA 8GB

Kingston KMKYF9-HYA 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

Kingston KF548C38-16 16GB

Kingston KF548C38-16 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 9905625-076.A00G 8GB

Kingston 9905625-076.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Kingston 9905744-023.A00G 16GB

Kingston 9905744-023.A00G 16GB

модули RAM

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB

Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB

Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB

модули RAM