RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.8
Скорость записи, Гб/сек
8.6
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2865
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link