RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
38
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.3
Скорость записи, Гб/сек
8.6
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2346
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link