RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
38
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2346
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link