RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
38
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2346
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link