RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,096.4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
60
Wokół strony -131% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.7
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,096.4
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
4084
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link