RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,096.4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
60
Wokół strony -131% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.7
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,096.4
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
4084
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link