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Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
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Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,096.4
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
60
En -131% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,168.7
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,096.4
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
4084
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
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