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Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,096.4
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
60
Por volta de -131% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,168.7
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,096.4
16.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
4084
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
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