RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
5.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
37
Около -42% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
11.7
Скорость записи, Гб/сек
8.6
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
1771
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 5641160 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link