RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
38
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.3
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
13.4
Скорость записи, Гб/сек
8.6
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2298
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Golden Empire CL7-7-7 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link