RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
43
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
27
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
20.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
4008
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link