RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    37 left arrow 56
    Около 34% меньшая задержка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    20.1 left arrow 13.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.5 left arrow 8.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    37 left arrow 56
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.9 left arrow 20.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.6 left arrow 10.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2395 left arrow 2455

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM

SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
модули RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
модули RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
модули RAM
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
модули RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
модули RAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
модули RAM
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
модули RAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
модули RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
модули RAM