RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
37
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.6
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
3004
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link