RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
37
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.6
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
3004
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link