RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
37
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.6
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2831
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link