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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
13.9
15.9
写入速度,GB/s
8.6
11.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2831
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
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Shenzhen Technology Co Ltd 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
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Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
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