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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
21
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
87
左右 -235% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
26
读取速度,GB/s
3,155.6
21.0
写入速度,GB/s
870.4
15.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3655
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
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Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
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