RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
72
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.6
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
13.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
72
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.3
Скорость записи, Гб/сек
8.6
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
1593
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link