RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
37
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
20.3
Скорость записи, Гб/сек
8.6
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
3343
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link