RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
73
Около 49% меньшая задержка
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
73
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.2
Скорость записи, Гб/сек
8.6
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
1843
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link