RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
92
Около -179% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.9
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
33
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3052
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link