RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
66
92
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
66
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2038
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link