RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
76
92
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.4
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
76
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
13.6
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
1624
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link