RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
73
92
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
73
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
1736
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link