RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
92
Около -229% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.6
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3316
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link