Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 13.2

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

39 92

Около -136% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.7 1,266.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

92 39
Скорость чтения, Гб/сек

2,105.4 13.2
Скорость записи, Гб/сек

1,266.1 10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

339 2651

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB

Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

AMD R7416G2400U2S 16GB

AMD R7416G2400U2S 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB

Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5702-020.A00G 8GB

Kingston 99U5702-020.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB

Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston KHX2666C16/8G 8GB

Kingston KHX2666C16/8G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

модули RAM