RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
92
Около -318% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
22
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
17.9
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3297
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link