RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
92
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.3
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
40
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
13.4
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2362
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99P5474-004.A00LF 2GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link