RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
92
Около -254% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.6
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
18.9
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3866
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link