Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Kingston 99U5665-001.A00G 4GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Средняя оценка

Kingston 99U5665-001.A00G 4GB

Kingston 99U5665-001.A00G 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 15.2

Среднее значение в тестах

Kingston 99U5665-001.A00G 4GB

Причины выбрать
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

75 92

Около -23% меньшая задержка
Выше скорость записи

6.9 1,266.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Kingston 99U5665-001.A00G 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

92 75
Скорость чтения, Гб/сек

2,105.4 15.2
Скорость записи, Гб/сек

1,266.1 6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

339 1660

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB

Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Kingston 99U5665-001.A00G 4GB

Kingston 99U5665-001.A00G 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

модули RAM

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Kingston K821PJ-MIH 16GB

Kingston K821PJ-MIH 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB

Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB

Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Kingston 9965589-007.D01G 8GB

Kingston 9965589-007.D01G 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Kingston 9905678-028.A00G 8GB

Kingston 9905678-028.A00G 8GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

модули RAM