RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
92
Около -283% меньшая задержка
Выше скорость записи
5.6
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
24
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
12.6
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2130
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link