RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
92
Около -384% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
19
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
19.8
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3370
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link