RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
92
Около -254% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.1
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3757
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link