RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
92
Около -197% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.9
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
21.9
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3805
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link