RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB против G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
9.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
28
Скорость чтения, Гб/сек
9.9
13.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1691
2625
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link