RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
9.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.9
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1691
2625
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link