RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
46
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
46
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1982
2396
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link