RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
46
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
46
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1982
2396
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link