RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
46
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
46
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1982
2396
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link