RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
46
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
11
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
9.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1982
2396
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link