RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
92
Wokół strony -217% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3311
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9905402-414.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link