RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
71
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
71
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1813
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link