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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
71
Intorno 66% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
8.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
71
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
1813
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
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