RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB против Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
55
Около 51% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
55
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2083
2665
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB88D9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link