RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
36
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
34
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
3606
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link