RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
37
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
37
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
3075
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link